EPC2100ENGRT

EPC2100ENGRT

メーカー

EPC

製品カテゴリ

トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ

説明

GANFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE

仕様

  • シリーズ
    eGaN®
  • パッケージ
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • 部品の状態
    Active
  • フェットタイプ
    2 N-Channel (Half Bridge)
  • フェット機能
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • ドレイン・ソース間電圧 (vdss)
    30V
  • 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c
    10A (Ta), 40A (Ta)
  • rds オン (最大) @ id、vgs
    8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V
  • vgs(th) (最大) @ id
    2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
  • ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs
    4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
  • 入力容量 (ciss) (最大) @ vds
    475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
  • パワー - 最大
    -
  • 動作温度
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 取付タイプ
    Surface Mount
  • パッケージ/ケース
    Die
  • サプライヤーデバイスパッケージ
    Die

EPC2100ENGRT 引用を要求

在庫あり 10614
量:
本体価格(参考価格):
5.18320
目標価格:
合計:5.18320

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