仕様

• シリーズ
  G2R™
• パッケージ
  Tube
• 部品の状態
  Active
• フェットタイプ
  N-Channel
• テクノロジー
  SiCFET (Silicon Carbide)
• ドレイン・ソース間電圧 (vdss)
  3300 V
• 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c
  4A (Tc)
• 駆動電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン)
  20V
• rds オン (最大) @ id、vgs
  1.2Ohm @ 2A, 20V
• vgs(th) (最大) @ id
  3.5V @ 2mA
• ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs
  21 nC @ 20 V
• vgs (最大)
  +20V, -5V
• 入力容量 (ciss) (最大) @ vds
  238 pF @ 1000 V
• フェット機能
  -
• 消費電力(最大)
  74W (Tc)
• 動作温度
  -55°C ~ 175°C (TJ)
• 取付タイプ
  Surface Mount
• サプライヤーデバイスパッケージ
  TO-263-7
• パッケージ/ケース
  TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA