DF200R12W1H3B27BOMA1

DF200R12W1H3B27BOMA1

メーカー

IR (Infineon Technologies)

製品カテゴリ

トランジスタ - IGBT - モジュール

説明

IGBT MOD 1200V 30A 375W

仕様

  • シリーズ
    -
  • パッケージ
    Bulk
  • 部品の状態
    Active
  • IGBTタイプ
    -
  • 構成
    2 Independent
  • 電圧 - コレクタ エミッタ ブレークダウン (最大)
    1200 V
  • 電流 - コレクタ (IC) (最大)
    30 A
  • パワー - 最大
    375 W
  • vce(on) (最大) @ vge、ic
    1.3V @ 15V, 30A
  • 電流 - コレクタ遮断 (最大)
    1 mA
  • 入力容量 (Cies) @ VCE
    2 nF @ 25 V
  • 入力
    Standard
  • NTCサーミスタ
    Yes
  • 動作温度
    -40°C ~ 150°C
  • 取付タイプ
    Chassis Mount
  • パッケージ/ケース
    Module
  • サプライヤーデバイスパッケージ
    Module

DF200R12W1H3B27BOMA1 引用を要求

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量:
本体価格(参考価格):
54.61750
目標価格:
合計:54.61750

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