IMBG120R350M1HXTMA1

IMBG120R350M1HXTMA1

メーカー

IR (Infineon Technologies)

製品カテゴリ

トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

説明

TRANS SJT N-CH 1.2KV 4.7A TO263

仕様

  • シリーズ
    CoolSiC™
  • パッケージ
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • 部品の状態
    Active
  • フェットタイプ
    N-Channel
  • テクノロジー
    SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • ドレイン・ソース間電圧 (vdss)
    1.2 kV
  • 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c
    4.7A (Tc)
  • 駆動電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン)
    -
  • rds オン (最大) @ id、vgs
    468mOhm @ 2A, 18V
  • vgs(th) (最大) @ id
    5.7V @ 1mA
  • ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs
    5.9 nC @ 18 V
  • vgs (最大)
    +18V, -15V
  • 入力容量 (ciss) (最大) @ vds
    196 pF @ 800 V
  • フェット機能
    Standard
  • 消費電力(最大)
    65W (Tc)
  • 動作温度
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 取付タイプ
    Surface Mount
  • サプライヤーデバイスパッケージ
    PG-TO263-7-12
  • パッケージ/ケース
    TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

IMBG120R350M1HXTMA1 引用を要求

在庫あり 6948
量:
本体価格(参考価格):
8.22000
目標価格:
合計:8.22000