IPT60R080G7XTMA1

IPT60R080G7XTMA1

メーカー

IR (Infineon Technologies)

製品カテゴリ

トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

説明

MOSFET N-CH 650V 29A 8HSOF

仕様

  • シリーズ
    CoolMOS™ G7
  • パッケージ
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • 部品の状態
    Active
  • フェットタイプ
    N-Channel
  • テクノロジー
    MOSFET (Metal Oxide)
  • ドレイン・ソース間電圧 (vdss)
    650 V
  • 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c
    29A (Tc)
  • 駆動電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン)
    10V
  • rds オン (最大) @ id、vgs
    80mOhm @ 9.7A, 10V
  • vgs(th) (最大) @ id
    4V @ 490µA
  • ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs
    42 nC @ 10 V
  • vgs (最大)
    ±20V
  • 入力容量 (ciss) (最大) @ vds
    1640 pF @ 400 V
  • フェット機能
    -
  • 消費電力(最大)
    167W (Tc)
  • 動作温度
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 取付タイプ
    Surface Mount
  • サプライヤーデバイスパッケージ
    PG-HSOF-8-2
  • パッケージ/ケース
    8-PowerSFN

IPT60R080G7XTMA1 引用を要求

在庫あり 8166
量:
本体価格(参考価格):
6.86000
目標価格:
合計:6.86000

データシート