仕様

• シリーズ
  BIMOSFET™
• パッケージ
  Tube
• 部品の状態
  Active
• IGBTタイプ
  NPT
• 電圧 - コレクタ エミッタ ブレークダウン (最大)
  3000 V
• 電流 - コレクタ (IC) (最大)
  38 A
• 電流 - コレクタパルス (icm)
  120 A
• vce(on) (最大) @ vge、ic
  2.7V @ 15V, 14A
• パワー - 最大
  200 W
• スイッチングエネルギー
  -
• 入力方式
  Standard
• ゲートチャージ
  62 nC
• td (オン/オフ) @ 25°c
  40ns/166ns
• 試験条件
  960V, 14A, 20Ohm, 15V
• 逆回復時間 (trr)
  1.4 µs
• 動作温度
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• 取付タイプ
  Surface Mount
• パッケージ/ケース
  TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• サプライヤーデバイスパッケージ
  TO-263