仕様

• シリーズ
  BIMOSFET™
• パッケージ
  Tube
• 部品の状態
  Not For New Designs
• IGBTタイプ
  -
• 電圧 - コレクタ エミッタ ブレークダウン (最大)
  3600 V
• 電流 - コレクタ (IC) (最大)
  70 A
• 電流 - コレクタパルス (icm)
  420 A
• vce(on) (最大) @ vge、ic
  2.9V @ 15V, 50A
• パワー - 最大
  290 W
• スイッチングエネルギー
  -
• 入力方式
  Standard
• ゲートチャージ
  210 nC
• td (オン/オフ) @ 25°c
  46ns/205ns
• 試験条件
  960V, 50A, 5Ohm, 15V
• 逆回復時間 (trr)
  1.7 µs
• 動作温度
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• 取付タイプ
  Through Hole
• パッケージ/ケース
  i4-Pac™-5 (3 Leads)
• サプライヤーデバイスパッケージ
  ISOPLUS i4-PAC™