仕様

• シリーズ
  -
• パッケージ
  Tube
• 部品の状態
  Active
• 駆動構成
  Low-Side
• チャンネルタイプ
  Independent
• ドライバーの数
  2
• ゲートタイプ
  IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
• 電圧 - 供給
  4.5V ~ 35V
• ロジック電圧 - vil、vih
  0.8V, 3V
• 電流 - ピーク出力 (ソース、シンク)
  2A, 2A
• 入力方式
  Inverting, Non-Inverting
• ハイサイド電圧 - 最大 (ブートストラップ)
  -
• 立ち上がり/立ち下がり時間 (標準)
  7.5ns, 6.5ns
• 動作温度
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• 取付タイプ
  Surface Mount
• パッケージ/ケース
  8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
• サプライヤーデバイスパッケージ
  8-SOIC-EP