仕様

• シリーズ
  BIMOSFET™
• パッケージ
  Tube
• 部品の状態
  Active
• IGBTタイプ
  -
• 構成
  Full Bridge
• 電圧 - コレクタ エミッタ ブレークダウン (最大)
  3000 V
• 電流 - コレクタ (IC) (最大)
  34 A
• パワー - 最大
  150 W
• vce(on) (最大) @ vge、ic
  3.2V @ 15V, 20A
• 電流 - コレクタ遮断 (最大)
  -
• 入力容量 (Cies) @ VCE
  -
• 入力
  Standard
• NTCサーミスタ
  No
• 動作温度
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• 取付タイプ
  Surface Mount
• パッケージ/ケース
  24-SMD Module, 9 Leads
• サプライヤーデバイスパッケージ
  24-SMPD