MSCSM120AM11CT3AG

MSCSM120AM11CT3AG

メーカー

Roving Networks / Microchip Technology

製品カテゴリ

トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ

説明

PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3F

仕様

  • シリーズ
    -
  • パッケージ
    Tube
  • 部品の状態
    Active
  • フェットタイプ
    2 N Channel (Phase Leg)
  • フェット機能
    Silicon Carbide (SiC)
  • ドレイン・ソース間電圧 (vdss)
    1200V (1.2kV)
  • 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c
    254A (Tc)
  • rds オン (最大) @ id、vgs
    10.4mOhm @ 120A, 20V
  • vgs(th) (最大) @ id
    2.8V @ 3mA
  • ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs
    696nC @ 20V
  • 入力容量 (ciss) (最大) @ vds
    9060pF @ 1000V
  • パワー - 最大
    1.067kW (Tc)
  • 動作温度
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • 取付タイプ
    Chassis Mount
  • パッケージ/ケース
    Module
  • サプライヤーデバイスパッケージ
    SP3F

MSCSM120AM11CT3AG 引用を要求

在庫あり 962
量:
本体価格(参考価格):
372.31000
目標価格:
合計:372.31000