MRF581G

MRF581G

メーカー

Microsemi

製品カテゴリ

トランジスタ - バイポーラ (bjt) - rf

説明

RF TRANS NPN 18V 5GHZ MICRO X

仕様

  • シリーズ
    -
  • パッケージ
    Bulk
  • 部品の状態
    Obsolete
  • トランジスタタイプ
    NPN
  • 電圧 - コレクタ エミッタ ブレークダウン (最大)
    18V
  • 周波数 - 遷移
    5GHz
  • 雑音指数 (db typ @ f)
    3dB ~ 3.5dB @ 500MHz
  • 13dB ~ 15.5dB
  • パワー - 最大
    1.25W
  • DC 電流ゲイン (hfe) (min) @ ic、vce
    50 @ 50mA, 5V
  • 電流 - コレクタ (IC) (最大)
    200mA
  • 動作温度
    150°C (TJ)
  • 取付タイプ
    Surface Mount
  • パッケージ/ケース
    Micro-X ceramic (84C)
  • サプライヤーデバイスパッケージ
    Micro-X ceramic (84C)

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