NTE2018

NTE2018

メーカー

NTE Electronics, Inc.

製品カテゴリ

トランジスタ - バイポーラ (bjt) - アレイ

説明

IC-8 CHAN CMOS/TTL DR 18-PIN DIP

仕様

  • シリーズ
    -
  • パッケージ
    Bag
  • 部品の状態
    Active
  • トランジスタタイプ
    8 NPN Darlington
  • 電流 - コレクタ (IC) (最大)
    600mA
  • 電圧 - コレクタ エミッタ ブレークダウン (最大)
    50V
  • VCE 飽和 (最大) @ ib、ic
    1.6V @ 350mA, 500A
  • 電流 - コレクタ遮断 (最大)
    -
  • DC 電流ゲイン (hfe) (min) @ ic、vce
    -
  • パワー - 最大
    1W
  • 周波数 - 遷移
    -
  • 動作温度
    -20°C ~ 85°C (TA)
  • 取付タイプ
    Through Hole
  • パッケージ/ケース
    18-DIP (0.300", 7.62mm)
  • サプライヤーデバイスパッケージ
    18-PDIP

NTE2018 引用を要求

在庫あり 8855
量:
本体価格(参考価格):
3.81000
目標価格:
合計:3.81000