HGTD1N120BNS9A

HGTD1N120BNS9A

メーカー

Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

製品カテゴリ

トランジスタ - IGBT - シングル

説明

IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA

仕様

  • シリーズ
    -
  • パッケージ
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • 部品の状態
    Active
  • IGBTタイプ
    NPT
  • 電圧 - コレクタ エミッタ ブレークダウン (最大)
    1200 V
  • 電流 - コレクタ (IC) (最大)
    5.3 A
  • 電流 - コレクタパルス (icm)
    6 A
  • vce(on) (最大) @ vge、ic
    2.9V @ 15V, 1A
  • パワー - 最大
    60 W
  • スイッチングエネルギー
    70µJ (on), 90µJ (off)
  • 入力方式
    Standard
  • ゲートチャージ
    14 nC
  • td (オン/オフ) @ 25°c
    15ns/67ns
  • 試験条件
    960V, 1A, 82Ohm, 15V
  • 逆回復時間 (trr)
    -
  • 動作温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 取付タイプ
    Surface Mount
  • パッケージ/ケース
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • サプライヤーデバイスパッケージ
    TO-252AA

HGTD1N120BNS9A 引用を要求

在庫あり 14172
量:
本体価格(参考価格):
1.51000
目標価格:
合計:1.51000

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