NXH35C120L2C2ESG

NXH35C120L2C2ESG

メーカー

Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

製品カテゴリ

トランジスタ - IGBT - モジュール

説明

IGBT MODULE, CIB 1200 V, 35 A IG

仕様

  • シリーズ
    -
  • パッケージ
    Tube
  • 部品の状態
    Active
  • IGBTタイプ
    -
  • 構成
    Three Phase Inverter with Brake
  • 電圧 - コレクタ エミッタ ブレークダウン (最大)
    1200 V
  • 電流 - コレクタ (IC) (最大)
    35 A
  • パワー - 最大
    20 mW
  • vce(on) (最大) @ vge、ic
    2.4V @ 15V, 35A
  • 電流 - コレクタ遮断 (最大)
    250 µA
  • 入力容量 (Cies) @ VCE
    8.333 nF @ 20 V
  • 入力
    Three Phase Bridge Rectifier
  • NTCサーミスタ
    Yes
  • 動作温度
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 取付タイプ
    Through Hole
  • パッケージ/ケース
    26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
  • サプライヤーデバイスパッケージ
    26-DIP

NXH35C120L2C2ESG 引用を要求

在庫あり 1830
量:
本体価格(参考価格):
55.08000
目標価格:
合計:55.08000