仕様

• シリーズ
  -
• パッケージ
  Tray
• 部品の状態
  Active
• ダイオードタイプ
  Silicon Carbide Schottky
• 電圧 - DC 逆方向 (vr) (最大)
  1200 V
• 電流 - 平均整流 (io)
  61A (DC)
• 電圧 - 順方向 (vf) (最大) @ if
  1.75 V @ 40 A
• スピード
  No Recovery Time > 500mA (Io)
• 逆回復時間 (trr)
  0 ns
• 電流 - 逆漏れ @ vr
  200 µA @ 1200 V
• 静電容量 @ vr, f
  2250pf @ 1V, 100kHz
• 取付タイプ
  Surface Mount
• パッケージ/ケース
  Die
• サプライヤーデバイスパッケージ
  Die
• 動作温度 - ジャンクション
  -55°C ~ 175°C