仕様

• シリーズ
  HEXFET®
• パッケージ
  Bulk
• 部品の状態
  Active
• フェットタイプ
  2 N-Channel (Dual)
• フェット機能
  Logic Level Gate
• ドレイン・ソース間電圧 (vdss)
  30V
• 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c
  5.3A
• rds オン (最大) @ id、vgs
  50mOhm @ 2.7A, 10V
• vgs(th) (最大) @ id
  3V @ 100µA
• ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs
  21nC @ 10V
• 入力容量 (ciss) (最大) @ vds
  515pF @ 25V
• パワー - 最大
  2.4W
• 動作温度
  -55°C ~ 175°C (TJ)
• 取付タイプ
  Surface Mount
• パッケージ/ケース
  8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• サプライヤーデバイスパッケージ
  8-SO