仕様

• シリーズ
  -
• パッケージ
  Bulk
• 部品の状態
  Active
• 駆動構成
  Half-Bridge
• チャンネルタイプ
  Independent
• ドライバーの数
  2
• ゲートタイプ
  IGBT, N-Channel MOSFET
• 電圧 - 供給
  10V ~ 20V
• ロジック電圧 - vil、vih
  0.8V, 2.5V
• 電流 - ピーク出力 (ソース、シンク)
  350mA, 650mA
• 入力方式
  Non-Inverting
• ハイサイド電圧 - 最大 (ブートストラップ)
  600 V
• 立ち上がり/立ち下がり時間 (標準)
  60ns, 30ns
• 動作温度
  -40°C ~ 125°C (TJ)
• 取付タイプ
  Through Hole
• パッケージ/ケース
  8-DIP (0.300", 7.62mm)
• サプライヤーデバイスパッケージ
  8-DIP