FF200R12KT3EHOSA1

FF200R12KT3EHOSA1

メーカー

Rochester Electronics

製品カテゴリ

トランジスタ - IGBT - モジュール

説明

FF200R12 - IGBT MODULE

仕様

  • シリーズ
    -
  • パッケージ
    Bulk
  • 部品の状態
    Active
  • IGBTタイプ
    -
  • 構成
    2 Independent
  • 電圧 - コレクタ エミッタ ブレークダウン (最大)
    1.2 V
  • 電流 - コレクタ (IC) (最大)
    -
  • パワー - 最大
    1.05 W
  • vce(on) (最大) @ vge、ic
    2.15V @ 15V, 200A
  • 電流 - コレクタ遮断 (最大)
    5 mA
  • 入力容量 (Cies) @ VCE
    14 nF @ 25 V
  • 入力
    Standard
  • NTCサーミスタ
    No
  • 動作温度
    -40°C ~ 125°C
  • 取付タイプ
    Chassis Mount
  • パッケージ/ケース
    Module
  • サプライヤーデバイスパッケージ
    Module

FF200R12KT3EHOSA1 引用を要求

在庫あり 1527
量:
本体価格(参考価格):
94.04000
目標価格:
合計:94.04000

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