H5N2305P-E

H5N2305P-E

メーカー

Rochester Electronics

製品カテゴリ

トランジスタ - バイポーラ (bjt) - シングル

説明

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

仕様

  • シリーズ
    *
  • パッケージ
    Bulk
  • 部品の状態
    Active
  • トランジスタタイプ
    -
  • 電流 - コレクタ (IC) (最大)
    -
  • 電圧 - コレクタ エミッタ ブレークダウン (最大)
    -
  • VCE 飽和 (最大) @ ib、ic
    -
  • 電流 - コレクタ遮断 (最大)
    -
  • DC 電流ゲイン (hfe) (min) @ ic、vce
    -
  • パワー - 最大
    -
  • 周波数 - 遷移
    -
  • 動作温度
    -
  • 取付タイプ
    -
  • パッケージ/ケース
    -
  • サプライヤーデバイスパッケージ
    -

H5N2305P-E 引用を要求

在庫あり 8332
量:
本体価格(参考価格):
6.72000
目標価格:
合計:6.72000