IPB80N06S207ATMA1

IPB80N06S207ATMA1

メーカー

Rochester Electronics

製品カテゴリ

トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

説明

MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3-2

仕様

  • シリーズ
    OptiMOS™
  • パッケージ
    Bulk
  • 部品の状態
    Active
  • フェットタイプ
    N-Channel
  • テクノロジー
    MOSFET (Metal Oxide)
  • ドレイン・ソース間電圧 (vdss)
    55 V
  • 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c
    80A (Tc)
  • 駆動電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン)
    10V
  • rds オン (最大) @ id、vgs
    6.3mOhm @ 68A, 10V
  • vgs(th) (最大) @ id
    4V @ 180µA
  • ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs
    110 nC @ 10 V
  • vgs (最大)
    ±20V
  • 入力容量 (ciss) (最大) @ vds
    3.4 pF @ 25 V
  • フェット機能
    -
  • 消費電力(最大)
    250W (Tc)
  • 動作温度
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 取付タイプ
    Surface Mount
  • サプライヤーデバイスパッケージ
    PG-TO263-3-2
  • パッケージ/ケース
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPB80N06S207ATMA1 引用を要求

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量:
本体価格(参考価格):
0.65000
目標価格:
合計:0.65000

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