IPI126N10N3 G

IPI126N10N3 G

メーカー

Rochester Electronics

製品カテゴリ

トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

説明

MOSFET N-CH 100V 58A TO262-3

仕様

  • シリーズ
    OptiMOS™
  • パッケージ
    Tube
  • 部品の状態
    Obsolete
  • フェットタイプ
    N-Channel
  • テクノロジー
    MOSFET (Metal Oxide)
  • ドレイン・ソース間電圧 (vdss)
    100 V
  • 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c
    58A (Tc)
  • 駆動電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン)
    6V, 10V
  • rds オン (最大) @ id、vgs
    12.6mOhm @ 46A, 10V
  • vgs(th) (最大) @ id
    3.5V @ 46µA
  • ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs
    35 nC @ 10 V
  • vgs (最大)
    ±20V
  • 入力容量 (ciss) (最大) @ vds
    2.5 pF @ 50 V
  • フェット機能
    -
  • 消費電力(最大)
    94W (Tc)
  • 動作温度
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 取付タイプ
    Through Hole
  • サプライヤーデバイスパッケージ
    PG-TO262-3
  • パッケージ/ケース
    TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

IPI126N10N3 G 引用を要求

在庫あり 36060
量:
本体価格(参考価格):
0.57000
目標価格:
合計:0.57000

データシート