IRF8313PBF

IRF8313PBF

メーカー

Rochester Electronics

製品カテゴリ

トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ

説明

HEXFET POWER MOSFET

仕様

  • シリーズ
    HEXFET®
  • パッケージ
    Tube
  • 部品の状態
    Obsolete
  • フェットタイプ
    2 N-Channel (Dual)
  • フェット機能
    Standard
  • ドレイン・ソース間電圧 (vdss)
    30V
  • 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c
    9.7A (Ta)
  • rds オン (最大) @ id、vgs
    15.5mOhm @ 9.7A, 10V
  • vgs(th) (最大) @ id
    2.35V @ 25µA
  • ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs
    9nC @ 4.5V
  • 入力容量 (ciss) (最大) @ vds
    760pF @ 15V
  • パワー - 最大
    2W (Ta)
  • 動作温度
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 取付タイプ
    Surface Mount
  • パッケージ/ケース
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • サプライヤーデバイスパッケージ
    8-SO

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在庫あり 42527
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本体価格(参考価格):
0.24000
目標価格:
合計:0.24000

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