仕様

• シリーズ
  HEXFET®
• パッケージ
  Bulk
• 部品の状態
  Active
• フェットタイプ
  N-Channel
• テクノロジー
  MOSFET (Metal Oxide)
• ドレイン・ソース間電圧 (vdss)
  150 V
• 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c
  41A (Tc)
• 駆動電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン)
  10V
• rds オン (最大) @ id、vgs
  45mOhm @ 25A, 10V
• vgs(th) (最大) @ id
  5.5V @ 250µA
• ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs
  110 nC @ 10 V
• vgs (最大)
  ±30V
• 入力容量 (ciss) (最大) @ vds
  2.52 pF @ 25 V
• フェット機能
  -
• 消費電力(最大)
  200W (Tc)
• 動作温度
  -55°C ~ 175°C (TJ)
• 取付タイプ
  Through Hole
• サプライヤーデバイスパッケージ
  TO-220AB
• パッケージ/ケース
  TO-220-3