IRG8P50N120KD-EPBF

IRG8P50N120KD-EPBF

メーカー

Rochester Electronics

製品カテゴリ

トランジスタ - IGBT - シングル

説明

IRG8P50N120 - DISCRETE IGBT WITH

仕様

  • シリーズ
    -
  • パッケージ
    Bulk
  • 部品の状態
    Obsolete
  • IGBTタイプ
    -
  • 電圧 - コレクタ エミッタ ブレークダウン (最大)
    1.2 V
  • 電流 - コレクタ (IC) (最大)
    80 A
  • 電流 - コレクタパルス (icm)
    105 A
  • vce(on) (最大) @ vge、ic
    2V @ 15V, 35A
  • パワー - 最大
    350 W
  • スイッチングエネルギー
    2.3mJ (on), 1.9mJ (off)
  • 入力方式
    Standard
  • ゲートチャージ
    315 nC
  • td (オン/オフ) @ 25°c
    35ns/190ns
  • 試験条件
    600V, 35A, 5Ohm, 15V
  • 逆回復時間 (trr)
    170 ns
  • 動作温度
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 取付タイプ
    Through Hole
  • パッケージ/ケース
    TO-247-3
  • サプライヤーデバイスパッケージ
    TO-247AD

IRG8P50N120KD-EPBF 引用を要求

在庫あり 8570
量:
本体価格(参考価格):
6.50000
目標価格:
合計:6.50000

データシート