MJD44H11-1G

MJD44H11-1G

メーカー

Rochester Electronics

製品カテゴリ

トランジスタ - バイポーラ (bjt) - シングル

説明

POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 8A, 80

仕様

  • シリーズ
    -
  • パッケージ
    Bulk
  • 部品の状態
    Active
  • トランジスタタイプ
    NPN
  • 電流 - コレクタ (IC) (最大)
    8 A
  • 電圧 - コレクタ エミッタ ブレークダウン (最大)
    80 V
  • VCE 飽和 (最大) @ ib、ic
    1V @ 400mA, 8A
  • 電流 - コレクタ遮断 (最大)
    1µA
  • DC 電流ゲイン (hfe) (min) @ ic、vce
    40 @ 4A, 1V
  • パワー - 最大
    1.75 W
  • 周波数 - 遷移
    85MHz
  • 動作温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 取付タイプ
    Through Hole
  • パッケージ/ケース
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • サプライヤーデバイスパッケージ
    I-PAK

MJD44H11-1G 引用を要求

在庫あり 44357
量:
本体価格(参考価格):
0.23000
目標価格:
合計:0.23000

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