NGB8207BNT4G

NGB8207BNT4G

メーカー

Rochester Electronics

製品カテゴリ

トランジスタ - IGBT - シングル

説明

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

仕様

  • シリーズ
    -
  • パッケージ
    Bulk
  • 部品の状態
    Obsolete
  • IGBTタイプ
    -
  • 電圧 - コレクタ エミッタ ブレークダウン (最大)
    365 V
  • 電流 - コレクタ (IC) (最大)
    20 A
  • 電流 - コレクタパルス (icm)
    50 A
  • vce(on) (最大) @ vge、ic
    2.6V @ 4V, 20A
  • パワー - 最大
    165 W
  • スイッチングエネルギー
    -
  • 入力方式
    Logic
  • ゲートチャージ
    -
  • td (オン/オフ) @ 25°c
    -
  • 試験条件
    -
  • 逆回復時間 (trr)
    -
  • 動作温度
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 取付タイプ
    Surface Mount
  • パッケージ/ケース
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • サプライヤーデバイスパッケージ
    D2PAK

NGB8207BNT4G 引用を要求

在庫あり 33139
量:
本体価格(参考価格):
0.62000
目標価格:
合計:0.62000

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