NGTB10N60R2DT4G

NGTB10N60R2DT4G

メーカー

Rochester Electronics

製品カテゴリ

トランジスタ - IGBT - シングル

説明

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

仕様

  • シリーズ
    -
  • パッケージ
    Bulk
  • 部品の状態
    Active
  • IGBTタイプ
    -
  • 電圧 - コレクタ エミッタ ブレークダウン (最大)
    600 V
  • 電流 - コレクタ (IC) (最大)
    20 A
  • 電流 - コレクタパルス (icm)
    40 A
  • vce(on) (最大) @ vge、ic
    2.1V @ 15V, 10A
  • パワー - 最大
    72 W
  • スイッチングエネルギー
    412µJ (on), 140µJ (off)
  • 入力方式
    Standard
  • ゲートチャージ
    53 nC
  • td (オン/オフ) @ 25°c
    48ns/120ns
  • 試験条件
    300V, 10A, 30Ohm, 15V
  • 逆回復時間 (trr)
    90 ns
  • 動作温度
    175°C (TJ)
  • 取付タイプ
    Surface Mount
  • パッケージ/ケース
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • サプライヤーデバイスパッケージ
    DPAK

NGTB10N60R2DT4G 引用を要求

在庫あり 35469
量:
本体価格(参考価格):
0.58000
目標価格:
合計:0.58000

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