NSV40300MDR2G

NSV40300MDR2G

メーカー

Rochester Electronics

製品カテゴリ

トランジスタ - バイポーラ (bjt) - アレイ

説明

LOW VCE(SAT) TRANSISTOR, DUAL PN

仕様

  • シリーズ
    -
  • パッケージ
    Bulk
  • 部品の状態
    Active
  • トランジスタタイプ
    2 PNP (Dual)
  • 電流 - コレクタ (IC) (最大)
    3A
  • 電圧 - コレクタ エミッタ ブレークダウン (最大)
    40V
  • VCE 飽和 (最大) @ ib、ic
    170mV @ 200mA, 2A
  • 電流 - コレクタ遮断 (最大)
    100nA (ICBO)
  • DC 電流ゲイン (hfe) (min) @ ic、vce
    180 @ 1A, 2V
  • パワー - 最大
    653mW
  • 周波数 - 遷移
    100MHz
  • 動作温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 取付タイプ
    Surface Mount
  • パッケージ/ケース
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • サプライヤーデバイスパッケージ
    8-SOIC

NSV40300MDR2G 引用を要求

在庫あり 33174
量:
本体価格(参考価格):
0.31000
目標価格:
合計:0.31000

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