NSVEMT1DXV6T5G

NSVEMT1DXV6T5G

メーカー

Rochester Electronics

製品カテゴリ

トランジスタ - バイポーラ (bjt) - アレイ

説明

DUAL PNP BIPOLAR TRANSISTOR

仕様

  • シリーズ
    -
  • パッケージ
    Bulk
  • 部品の状態
    Active
  • トランジスタタイプ
    2 PNP (Dual)
  • 電流 - コレクタ (IC) (最大)
    100mA
  • 電圧 - コレクタ エミッタ ブレークダウン (最大)
    60V
  • VCE 飽和 (最大) @ ib、ic
    500mV @ 5mA, 50mA
  • 電流 - コレクタ遮断 (最大)
    500pA (ICBO)
  • DC 電流ゲイン (hfe) (min) @ ic、vce
    120 @ 1mA, 6V
  • パワー - 最大
    500mW
  • 周波数 - 遷移
    140MHz
  • 動作温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 取付タイプ
    Surface Mount
  • パッケージ/ケース
    SOT-563, SOT-666
  • サプライヤーデバイスパッケージ
    SOT-563

NSVEMT1DXV6T5G 引用を要求

在庫あり 111924
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本体価格(参考価格):
0.09000
目標価格:
合計:0.09000

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