NUS5530MNR2G

NUS5530MNR2G

メーカー

Rochester Electronics

製品カテゴリ

トランジスタ - 特殊用途

説明

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3

仕様

  • シリーズ
    -
  • パッケージ
    Bulk
  • 部品の状態
    Active
  • トランジスタタイプ
    NPN, P-Channel
  • アプリケーション
    General Purpose
  • 電圧 - 定格
    35V PNP, 20V P-Channel
  • 定格電流 (アンペア)
    2A PNP, 3.9A P-Channel
  • 取付タイプ
    Surface Mount
  • パッケージ/ケース
    8-VDFN Exposed Pad
  • サプライヤーデバイスパッケージ
    8-DFN-EP (3.3x3.3)

NUS5530MNR2G 引用を要求

在庫あり 37940
量:
本体価格(参考価格):
0.54000
目標価格:
合計:0.54000

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