PMBFJ112,215

PMBFJ112,215

メーカー

Rochester Electronics

製品カテゴリ

トランジスタ - jfets

説明

PMBFJ112 - N-CHANNEL FET

仕様

  • シリーズ
    -
  • パッケージ
    Bulk
  • 部品の状態
    Active
  • フェットタイプ
    N-Channel
  • 電圧 - 絶縁破壊 (v(br)gss)
    40 V
  • ドレイン・ソース間電圧 (vdss)
    40 V
  • 電流 - ドレイン (idss) @ vds (vgs=0)
    5 mA @ 15 V
  • 消費電流 (id) - 最大
    -
  • 電圧 - カットオフ (VGS オフ) @ ID
    5 V @ 1 µA
  • 入力容量 (ciss) (最大) @ vds
    6pF @ 10V (VGS)
  • 抵抗 - rds(on)
    50 Ohms
  • パワー - 最大
    300 mW
  • 動作温度
    150°C (TJ)
  • 取付タイプ
    Surface Mount
  • パッケージ/ケース
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • サプライヤーデバイスパッケージ
    SOT-23 (TO-236AB)

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本体価格(参考価格):
0.18719
目標価格:
合計:0.18719

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