RF1S22N10SM

RF1S22N10SM

メーカー

Rochester Electronics

製品カテゴリ

トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

説明

N-CHANNEL POWER MOSFET

仕様

  • シリーズ
    *
  • パッケージ
    Bulk
  • 部品の状態
    Active
  • フェットタイプ
    -
  • テクノロジー
    -
  • ドレイン・ソース間電圧 (vdss)
    -
  • 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c
    -
  • 駆動電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン)
    -
  • rds オン (最大) @ id、vgs
    -
  • vgs(th) (最大) @ id
    -
  • ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs
    -
  • vgs (最大)
    -
  • 入力容量 (ciss) (最大) @ vds
    -
  • フェット機能
    -
  • 消費電力(最大)
    -
  • 動作温度
    -
  • 取付タイプ
    -
  • サプライヤーデバイスパッケージ
    -
  • パッケージ/ケース
    -

RF1S22N10SM 引用を要求

在庫あり 28207
量:
本体価格(参考価格):
0.73000
目標価格:
合計:0.73000