RJK1001DPN-E0#T2

RJK1001DPN-E0#T2

メーカー

Rochester Electronics

製品カテゴリ

トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

説明

MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB

仕様

  • シリーズ
    -
  • パッケージ
    Tube
  • 部品の状態
    Obsolete
  • フェットタイプ
    N-Channel
  • テクノロジー
    MOSFET (Metal Oxide)
  • ドレイン・ソース間電圧 (vdss)
    100 V
  • 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c
    80A (Ta)
  • 駆動電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン)
    -
  • rds オン (最大) @ id、vgs
    5.5mOhm @ 40A, 10V
  • vgs(th) (最大) @ id
    -
  • ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs
    147 nC @ 10 V
  • vgs (最大)
    -
  • 入力容量 (ciss) (最大) @ vds
    10 pF @ 10 V
  • フェット機能
    -
  • 消費電力(最大)
    200W (Tc)
  • 動作温度
    150°C (TJ)
  • 取付タイプ
    Through Hole
  • サプライヤーデバイスパッケージ
    TO-220AB
  • パッケージ/ケース
    TO-220-3

RJK1001DPN-E0#T2 引用を要求

在庫あり 13005
量:
本体価格(参考価格):
2.49000
目標価格:
合計:2.49000