QS8M12TCR

QS8M12TCR

メーカー

ROHM Semiconductor

製品カテゴリ

トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ

説明

MOSFET N/P-CH 30V 4A TSMT8

仕様

  • シリーズ
    -
  • パッケージ
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • 部品の状態
    Not For New Designs
  • フェットタイプ
    N and P-Channel
  • フェット機能
    Logic Level Gate
  • ドレイン・ソース間電圧 (vdss)
    30V
  • 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c
    4A
  • rds オン (最大) @ id、vgs
    42mOhm @ 4A, 10V
  • vgs(th) (最大) @ id
    2.5V @ 1mA
  • ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs
    3.4nC @ 5V
  • 入力容量 (ciss) (最大) @ vds
    250pF @ 10V
  • パワー - 最大
    1.5W
  • 動作温度
    150°C (TJ)
  • 取付タイプ
    Surface Mount
  • パッケージ/ケース
    8-SMD, Flat Lead
  • サプライヤーデバイスパッケージ
    TSMT8

QS8M12TCR 引用を要求

在庫あり 30014
量:
本体価格(参考価格):
0.34293
目標価格:
合計:0.34293

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