RGW80TS65GC11

RGW80TS65GC11

メーカー

ROHM Semiconductor

製品カテゴリ

トランジスタ - IGBT - シングル

説明

650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT

仕様

  • シリーズ
    -
  • パッケージ
    Tube
  • 部品の状態
    Active
  • IGBTタイプ
    Trench Field Stop
  • 電圧 - コレクタ エミッタ ブレークダウン (最大)
    650 V
  • 電流 - コレクタ (IC) (最大)
    78 A
  • 電流 - コレクタパルス (icm)
    160 A
  • vce(on) (最大) @ vge、ic
    1.9V @ 15V, 40A
  • パワー - 最大
    214 W
  • スイッチングエネルギー
    760µJ (on), 720µJ (off)
  • 入力方式
    Standard
  • ゲートチャージ
    110 nC
  • td (オン/オフ) @ 25°c
    44ns/143ns
  • 試験条件
    400V, 40A, 10Ohm, 15V
  • 逆回復時間 (trr)
    -
  • 動作温度
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • 取付タイプ
    Through Hole
  • パッケージ/ケース
    TO-247-3
  • サプライヤーデバイスパッケージ
    TO-247N

RGW80TS65GC11 引用を要求

在庫あり 7492
量:
本体価格(参考価格):
4.54000
目標価格:
合計:4.54000

データシート