PD20010-E

PD20010-E

メーカー

STMicroelectronics

製品カテゴリ

トランジスタ - FET、MOSFET - RF

説明

TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF

仕様

  • シリーズ
    -
  • パッケージ
    Tube
  • 部品の状態
    Active
  • トランジスタタイプ
    LDMOS
  • 頻度
    2GHz
  • 11dB
  • 電圧 - テスト
    13.6 V
  • 定格電流 (アンペア)
    5A
  • 雑音指数
    -
  • 電流 - テスト
    150 mA
  • 電力出力
    10W
  • 電圧 - 定格
    40 V
  • パッケージ/ケース
    PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
  • サプライヤーデバイスパッケージ
    PowerSO-10RF (Formed Lead)

PD20010-E 引用を要求

在庫あり 4107
量:
本体価格(参考価格):
15.54000
目標価格:
合計:15.54000

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