TC58BYG2S0HBAI6

TC58BYG2S0HBAI6

メーカー

Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)

製品カテゴリ

メモリ

説明

IC FLASH 4GBIT PARALLEL 67VFBGA

仕様

  • シリーズ
    Benand™
  • パッケージ
    Tray
  • 部品の状態
    Active
  • メモリの種類
    Non-Volatile
  • メモリフォーマット
    FLASH
  • テクノロジー
    FLASH - NAND (SLC)
  • メモリー容量
    4Gb (512M x 8)
  • メモリインターフェース
    Parallel
  • クロック周波数
    -
  • 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ
    25ns
  • アクセス時間
    25 ns
  • 電圧 - 供給
    1.7V ~ 1.95V
  • 動作温度
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • 取付タイプ
    Surface Mount
  • パッケージ/ケース
    67-VFBGA
  • サプライヤーデバイスパッケージ
    67-VFBGA (6.5x8)

TC58BYG2S0HBAI6 引用を要求

在庫あり 7313
量:
本体価格(参考価格):
4.74000
目標価格:
合計:4.74000

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