仕様

  • シリーズ
    π-MOSVII
  • パッケージ
    Tube
  • 部品の状態
    Active
  • フェットタイプ
    N-Channel
  • テクノロジー
    MOSFET (Metal Oxide)
  • ドレイン・ソース間電圧 (vdss)
    650 V
  • 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c
    2.5A (Ta)
  • 駆動電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン)
    10V
  • rds オン (最大) @ id、vgs
    2.51Ohm @ 1.3A, 10V
  • vgs(th) (最大) @ id
    4.4V @ 1mA
  • ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs
    11 nC @ 10 V
  • vgs (最大)
    ±30V
  • 入力容量 (ciss) (最大) @ vds
    490 pF @ 25 V
  • フェット機能
    -
  • 消費電力(最大)
    35W (Tc)
  • 動作温度
    150°C (TJ)
  • 取付タイプ
    Through Hole
  • サプライヤーデバイスパッケージ
    TO-220SIS
  • パッケージ/ケース
    TO-220-3 Full Pack

TK3A65DA(STA4,QM) 引用を要求

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