仕様

• シリーズ
  -
• パッケージ
  Tray
• 部品の状態
  Active
• フェットタイプ
  N-Channel
• テクノロジー
  GaNFET (Gallium Nitride)
• ドレイン・ソース間電圧 (vdss)
  650 V
• 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c
  6.5A (Tc)
• 駆動電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン)
  8V
• rds オン (最大) @ id、vgs
  312mOhm @ 5A, 8V
• vgs(th) (最大) @ id
  2.6V @ 500µA
• ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs
  9.6 nC @ 8 V
• vgs (最大)
  ±18V
• 入力容量 (ciss) (最大) @ vds
  760 pF @ 400 V
• フェット機能
  -
• 消費電力(最大)
  21W (Tc)
• 動作温度
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• 取付タイプ
  Surface Mount
• サプライヤーデバイスパッケージ
  3-PQFN (8x8)
• パッケージ/ケース
  3-PowerDFN