SISF20DN-T1-GE3

SISF20DN-T1-GE3

メーカー

Vishay / Siliconix

製品カテゴリ

トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ

説明

MOSFET DL N-CH 60V PPK 1212-8SCD

仕様

  • シリーズ
    TrenchFET® Gen IV
  • パッケージ
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • 部品の状態
    Active
  • フェットタイプ
    2 N-Channel (Dual)
  • フェット機能
    Standard
  • ドレイン・ソース間電圧 (vdss)
    60V
  • 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c
    14A (Ta), 52A (Tc)
  • rds オン (最大) @ id、vgs
    13mOhm @ 7A, 10V
  • vgs(th) (最大) @ id
    3V @ 250µA
  • ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs
    33nC @ 10V
  • 入力容量 (ciss) (最大) @ vds
    1290pF @ 30V
  • パワー - 最大
    5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
  • 動作温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 取付タイプ
    Surface Mount
  • パッケージ/ケース
    PowerPAK® 1212-8SCD
  • サプライヤーデバイスパッケージ
    PowerPAK® 1212-8SCD

SISF20DN-T1-GE3 引用を要求

在庫あり 12836
量:
本体価格(参考価格):
1.67000
目標価格:
合計:1.67000