SISS80DN-T1-GE3

SISS80DN-T1-GE3

メーカー

Vishay / Siliconix

製品カテゴリ

トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

説明

MOSFET N-CH 20V 58.3A/210A PPAK

仕様

  • シリーズ
    TrenchFET® Gen IV
  • パッケージ
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • 部品の状態
    Active
  • フェットタイプ
    N-Channel
  • テクノロジー
    MOSFET (Metal Oxide)
  • ドレイン・ソース間電圧 (vdss)
    20 V
  • 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c
    58.3A (Ta), 210A (Tc)
  • 駆動電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン)
    2.5V, 10V
  • rds オン (最大) @ id、vgs
    0.92mOhm @ 10A, 10V
  • vgs(th) (最大) @ id
    1.5V @ 250µA
  • ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs
    122 nC @ 10 V
  • vgs (最大)
    +12V, -8V
  • 入力容量 (ciss) (最大) @ vds
    6450 pF @ 10 V
  • フェット機能
    -
  • 消費電力(最大)
    5W (Ta), 65W (Tc)
  • 動作温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 取付タイプ
    Surface Mount
  • サプライヤーデバイスパッケージ
    PowerPAK® 1212-8S
  • パッケージ/ケース
    PowerPAK® 1212-8S

SISS80DN-T1-GE3 引用を要求

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量:
本体価格(参考価格):
1.75000
目標価格:
合計:1.75000