仕様

• シリーズ
  C2M™
• パッケージ
  Tube
• 部品の状態
  Not For New Designs
• フェットタイプ
  N-Channel
• テクノロジー
  SiCFET (Silicon Carbide)
• ドレイン・ソース間電圧 (vdss)
  1700 V
• 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c
  72A (Tc)
• 駆動電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン)
  20V
• rds オン (最大) @ id、vgs
  59mOhm @ 50A, 20V
• vgs(th) (最大) @ id
  4V @ 18mA
• ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs
  188 nC @ 20 V
• vgs (最大)
  +25V, -10V
• 入力容量 (ciss) (最大) @ vds
  3672 pF @ 1000 V
• フェット機能
  -
• 消費電力(最大)
  520W (Tc)
• 動作温度
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• 取付タイプ
  Through Hole
• サプライヤーデバイスパッケージ
  TO-247-4
• パッケージ/ケース
  TO-247-4