ALD1110EPAL

ALD1110EPAL

メーカー

Advanced Linear Devices, Inc.

製品カテゴリ

トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ

説明

MOSFET 2N-CH 10V 8DIP

仕様

  • シリーズ
    EPAD®
  • パッケージ
    Tube
  • 部品の状態
    Active
  • フェットタイプ
    2 N-Channel (Dual) Matched Pair
  • フェット機能
    Standard
  • ドレイン・ソース間電圧 (vdss)
    10V
  • 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c
    -
  • rds オン (最大) @ id、vgs
    500Ohm @ 5V
  • vgs(th) (最大) @ id
    1.01V @ 1µA
  • ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs
    -
  • 入力容量 (ciss) (最大) @ vds
    2.5pF @ 5V
  • パワー - 最大
    600mW
  • 動作温度
    0°C ~ 70°C (TJ)
  • 取付タイプ
    Through Hole
  • パッケージ/ケース
    8-DIP (0.300", 7.62mm)
  • サプライヤーデバイスパッケージ
    8-PDIP

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在庫あり 7816
量:
本体価格(参考価格):
7.14840
目標価格:
合計:7.14840

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