ALD212900ASAL

ALD212900ASAL

メーカー

Advanced Linear Devices, Inc.

製品カテゴリ

トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ

説明

MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC

仕様

  • シリーズ
    EPAD®, Zero Threshold™
  • パッケージ
    Tube
  • 部品の状態
    Active
  • フェットタイプ
    2 N-Channel (Dual) Matched Pair
  • フェット機能
    Logic Level Gate
  • ドレイン・ソース間電圧 (vdss)
    10.6V
  • 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c
    80mA
  • rds オン (最大) @ id、vgs
    14Ohm
  • vgs(th) (最大) @ id
    10mV @ 20µA
  • ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs
    -
  • 入力容量 (ciss) (最大) @ vds
    30pF @ 5V
  • パワー - 最大
    500mW
  • 動作温度
    0°C ~ 70°C (TJ)
  • 取付タイプ
    Surface Mount
  • パッケージ/ケース
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • サプライヤーデバイスパッケージ
    8-SOIC

ALD212900ASAL 引用を要求

在庫あり 9667
量:
本体価格(参考価格):
5.71720
目標価格:
合計:5.71720

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