仕様

• シリーズ
  eGaN®
• パッケージ
  Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
• 部品の状態
  Active
• フェットタイプ
  2 N-Channel (Half Bridge)
• フェット機能
  GaNFET (Gallium Nitride)
• ドレイン・ソース間電圧 (vdss)
  80V
• 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c
  9.5A, 38A
• rds オン (最大) @ id、vgs
  14.5mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V
• vgs(th) (最大) @ id
  2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA
• ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs
  2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V
• 入力容量 (ciss) (最大) @ vds
  300pF @ 40V, 1100pF @ 40V
• パワー - 最大
  -
• 動作温度
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• 取付タイプ
  Surface Mount
• パッケージ/ケース
  Die
• サプライヤーデバイスパッケージ
  Die