仕様

• シリーズ
  eGaN®
• パッケージ
  Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
• 部品の状態
  Active
• フェットタイプ
  3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
• フェット機能
  GaNFET (Gallium Nitride)
• ドレイン・ソース間電圧 (vdss)
  100V
• 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c
  1.7A, 500mA
• rds オン (最大) @ id、vgs
  320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V
• vgs(th) (最大) @ id
  2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
• ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs
  0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
• 入力容量 (ciss) (最大) @ vds
  16pF @ 50V, 7pF @ 50V
• パワー - 最大
  -
• 動作温度
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• 取付タイプ
  Surface Mount
• パッケージ/ケース
  9-VFBGA
• サプライヤーデバイスパッケージ
  9-BGA (1.35x1.35)