BSG0810NDIATMA1

BSG0810NDIATMA1

メーカー

IR (Infineon Technologies)

製品カテゴリ

トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ

説明

MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON

仕様

  • シリーズ
    OptiMOS™
  • パッケージ
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • 部品の状態
    Active
  • フェットタイプ
    2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
  • フェット機能
    Logic Level Gate, 4.5V Drive
  • ドレイン・ソース間電圧 (vdss)
    25V
  • 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c
    19A, 39A
  • rds オン (最大) @ id、vgs
    3mOhm @ 20A, 10V
  • vgs(th) (最大) @ id
    2V @ 250µA
  • ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs
    8.4nC @ 4.5V
  • 入力容量 (ciss) (最大) @ vds
    1040pF @ 12V
  • パワー - 最大
    2.5W
  • 動作温度
    -55°C ~ 155°C (TJ)
  • 取付タイプ
    Surface Mount
  • パッケージ/ケース
    8-PowerTDFN
  • サプライヤーデバイスパッケージ
    PG-TISON-8

BSG0810NDIATMA1 引用を要求

在庫あり 12164
量:
本体価格(参考価格):
2.66000
目標価格:
合計:2.66000

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