FF6MR12W2M1B11BOMA1

FF6MR12W2M1B11BOMA1

メーカー

IR (Infineon Technologies)

製品カテゴリ

トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ

説明

MOSFET MODULE 1200V 200A

仕様

  • シリーズ
    CoolSiC™+
  • パッケージ
    Tray
  • 部品の状態
    Active
  • フェットタイプ
    2 N-Channel (Dual)
  • フェット機能
    Silicon Carbide (SiC)
  • ドレイン・ソース間電圧 (vdss)
    1200V
  • 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c
    200A (Tj)
  • rds オン (最大) @ id、vgs
    5.63mOhm @ 200A, 15V
  • vgs(th) (最大) @ id
    5.55V @ 10mA
  • ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs
    496nC @ 15V
  • 入力容量 (ciss) (最大) @ vds
    14700pF @ 800V
  • パワー - 最大
    20mW (Tc)
  • 動作温度
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 取付タイプ
    Chassis Mount
  • パッケージ/ケース
    Module
  • サプライヤーデバイスパッケージ
    AG-EASY2BM-2

FF6MR12W2M1B11BOMA1 引用を要求

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量:
本体価格(参考価格):
323.73000
目標価格:
合計:323.73000