IPP65R190C6XKSA1

IPP65R190C6XKSA1

メーカー

IR (Infineon Technologies)

製品カテゴリ

トランジスタ - FET、MOSFET - シングル

説明

MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220-3

仕様

  • シリーズ
    CoolMOS™
  • パッケージ
    Tube
  • 部品の状態
    Not For New Designs
  • フェットタイプ
    N-Channel
  • テクノロジー
    MOSFET (Metal Oxide)
  • ドレイン・ソース間電圧 (vdss)
    650 V
  • 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c
    20.2A (Tc)
  • 駆動電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン)
    10V
  • rds オン (最大) @ id、vgs
    190mOhm @ 7.3A, 10V
  • vgs(th) (最大) @ id
    3.5V @ 730µA
  • ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs
    73 nC @ 10 V
  • vgs (最大)
    ±20V
  • 入力容量 (ciss) (最大) @ vds
    1620 pF @ 100 V
  • フェット機能
    -
  • 消費電力(最大)
    151W (Tc)
  • 動作温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 取付タイプ
    Through Hole
  • サプライヤーデバイスパッケージ
    PG-TO220-3
  • パッケージ/ケース
    TO-220-3

IPP65R190C6XKSA1 引用を要求

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量:
本体価格(参考価格):
2.09036
目標価格:
合計:2.09036

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