仕様

• シリーズ
  BIMOSFET™
• パッケージ
  Tube
• 部品の状態
  Active
• IGBTタイプ
  -
• 電圧 - コレクタ エミッタ ブレークダウン (最大)
  3000 V
• 電流 - コレクタ (IC) (最大)
  34 A
• 電流 - コレクタパルス (icm)
  88 A
• vce(on) (最大) @ vge、ic
  2.8V @ 15V, 10A
• パワー - 最大
  180 W
• スイッチングエネルギー
  -
• 入力方式
  Standard
• ゲートチャージ
  46 nC
• td (オン/オフ) @ 25°c
  36ns/100ns
• 試験条件
  960V, 10A, 10Ohm, 15V
• 逆回復時間 (trr)
  1.6 µs
• 動作温度
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• 取付タイプ
  Surface Mount
• パッケージ/ケース
  TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• サプライヤーデバイスパッケージ
  TO-263